用途场景
规格参数
产品概述
麦科信(Micsig)光隔离探头MOIP系列带宽范围从200MHz到1GHz，可测±0.01V至±6250V差模信号。基于独家 SigOFIT™ 引领技术，MOIP系列拥有极高的共模抑制比，1GHz频段依然高达108dB,隔离电压高达85kV，底噪小于0.45mVrms，在其带宽范围内洞见信号的全部真相，是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。 MOIP系列采用先进的激光供电技术，激光传输信号，激光传输电能（不用电池，电源更纯净），可365天不间断测试，标准BNC接口，适配所有品牌示波器；秒速自校准，无需等待，上电即测，无需预热，极高稳定性，温漂极小，精度优于1%，可在0dB与20dB切换，使得单根衰减器也拥有2个量程来提高信噪比；输入电容最小仅1pF，测氮化镓（GaN）不炸管，衰减器和光纤长度皆可定制，可用于测量SiC/GaN等功率器件的栅极电压驱动等高压高频挑战性场景。
最真实的信号呈现
SigOFIT光隔离探头具有极高的共模抑制比，在200MHz时CMRR高达122dB、在1GHz时CMRR仍然高达108dB，是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。
极高的测试精度与稳定性
作为判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判，测试精度是SigOFIT光隔离探头的重要指标。SigOFIT光隔离探头，具有极佳的幅频特性，直流增益精度优于1%，底噪小于0.45mVrms，预热5min后零点漂移小于0.1%，增益漂移小于1%。
第三代半导体的最佳测试手段
第三代半导体器件由于导通与关断时间很短，信号具有更快的上升沿和下降沿，信号中具有很高能量的高频谐波，SigOFIT光隔离探头在最高带宽时，仍然具有超100dB的共模抑制比，可以近乎完美地抑制高频共模噪声所产生的震荡，所呈现的信号没有额外多余成分，是第三代半导体测试的不二之选。
测试氮化镓（GaN）不炸管
SigOFIT光隔离探头测试引线短且采用同轴传输，探头输入电容最小仅1pF，测试氮化镓（GaN）十分安全。
使用灵活，高效便捷
SigOFIT光隔离探头比传统高压差分探头体积更小，探头引线更精巧，使用更加灵活方便；探头响应快，上电即测，校准时间小于1秒，校准时，无需断开测试连接，可实时保证精确的信号输出。
真正光隔离技术
用激光传输信号+用激光传输电能（不用电池，电源更纯净），可365天不间断测试。
测试量程更宽
不同于高压差分探头只可以测试高压信号，SigOFIT光隔离探头通过匹配不同的衰减器，可以测试±0.01V至±6250V的差模信号，并实现满量程输出，达到很高的信噪比。
应用场景
对其他电压探头所测结果准确性、真实性存在质疑时，SigOFIT光隔离探头可作为最终裁判依据。 电源设备评估、电流并联测量、EMI 和 ESD 故障排除 电机驱动设计、功率转换器设计 、电子镇流器设计 氮化镓、碳化硅、IGBT半/全桥设备的设计与分析 高压高带宽测试应用的安全隔离测试 逆变器、UPS及开关电源的测试 宽电压、宽带测试应用 各种浮地测试
参数表
| 型号 | MOIP200P | MOIP350P | MOIP500P | MOIP1000P |
| 带宽 | 200MHz | 350MHz | 500MHz | 1GHz |
| 上升时间 | ≤1.75ns | ≤1ns | ≤700ps | ≤450ps |
| 共模抑制比 | DC: 180dB 200MHz: 122dB | DC: 180dB 350MHz: 118dB | DC: 180dB 500MHz: 114dB | DC: 180dB 1GHz: 108dB |
| 测试电压范围 | 标配OP20(MMCX), ±25V 选配OP50(MMCX), ±62.5V 选配OP200(MCX), ±250V 选配OP1000(MCX), ±1250V 选配OP2000(MCX), ±2500V 选配OP5000(LCX), ±6250V | 标配OP20(MMCX), ±25V 选配OP50(MMCX), ±62.5V 选配OP200(MCX), ±250V 标配OP1000(MCX), ±1250V 选配OP2000(MCX), ±2500V 选配OP5000(LCX), ±6250V | 选配OP20(MMCX), ±10V 标配OP50(MMCX), ±25V 选配OP100(MMCX), ±50V 选配OP2000(MCX), ±1000V 标配OP5000(MCX), ±2500V 选配OP10000(LCX), ±5000V | |
| 底噪 | <0.45mVrms | |||
| 直流增益精度 | 1% | |||
| 共模电压 | 85kVpk | |||
| 示波器端接口 | 通用标准BNC接口，可搭配所有品牌示波器使用 | |||
