用途场景
规格参数
【产品概述】
TH530系列雪崩测试仪是同惠电子针对于半导体器件UIS （EAS）、EAR参数测量问题的解决方案。
主要用于测量MOSFET 、IGBT 、Diode和双极性器件（带钳位）的雪崩击穿特性（电压、能量等）。通过给被测器件施加可控制的感性能量，判断出被测器件是否能正常吸收和承受电感释放的能量。经过雪崩测试的器件，就可安全地用于有反向电动势的感性负载上。
快速选型
型号 | TH530-25100A | TH530-25100B | TH530-25200A | TH530-25200B |
雪崩电压 | 2500V | |||
峰值电流 | 100A | 200A | ||
通道数 | 1 | 2 | 1 | 2 |
A. 泄漏测试:可选择启用
每次雪崩测试前，在栅极电压设置为0的情况下，用户设置的泄漏电压会被施加到被测件上，读取电流检测器测量值。根据测试仪的设置，可以在雪崩测试前、测试后或测试前后对被测件进行泄漏测试。这不是测量实际漏电电流，而是确定被测件或测试夹具中是否存在短路的简单测试。
测试仪内部的漏电稳压器电压可从2V设置到为被测试装置雪崩测试设置的漏极电压。漏电流大于1mA会被检测为漏电故障。漏电流最大限制为 8mA。
B. 雪崩测试原理
当高速开关和被测件接通时， 漏极电流增加，到达指定的比较点时，高速开关与栅极关断，断开漏极电压电源。关断时，电感中存储的能量会产生较高的电压，迫使被测件（以NMOS为例）进入雪崩状态，电流路径由续流二极管维持。 因此，电感器中存储的所有能量都转移到了被测件上。此时电感上能量即为设定的可控击穿能量，也即NMOS的雪崩能量（EAS）。
C. 测试结果波形
TH530可捕捉被测设备的电压和电流波形，测试仪可将波形保存到测试结果文件中，在显示屏幕上用户最多可查看最近四次的波形数据。
为便于用户查看，测试仪默认同时显示电压电流波形，用户仍可触摸“电压”或“电流”来单独查看对应波形。
【应用】
▮ 功率半导体的研发与制造
评估半导体器件的雪崩耐量，确保其能承受电路中感性负载关断时产生的高压尖峰，保证出厂质量的可靠性。例如：IGBT 、MOSFET、功率二极管。
▮ 电源设备设计与验证
验证设备在输出短路等异常情况下，功率器件是否能承受因初级电感和大电流引起的雪崩能量而不损坏。例如：开关电源、逆变器等设备的功率器件。
▮ 新能源汽车与工业驱动
确保器件能应对电机启动、堵转等特殊工况下感性负载产生冲击电流和电压尖峰，确保系统安全。例如：电机控制器（如变频器、伺服驱动器）中功率开关器件。
【技术参数】
型号 | TH530-25100A | TH530-25100B | TH530-25200A | TH530-25200B |
雪崩电压 | 2500V | |||
峰值电流 | 100A | 200A | ||
通道数 | 1 | 2 | 1 | 2 |
输出能量限制 | 1mJ至0.00495*VDD2mJ | |||
负载电感范围 | 0.01mH至159.9mH，其中 0.01mH至10.0mH，步长为0.01mH 0.02mH至159.9mH，步长为0.1mH | |||
电流传感器类型 | 霍尔传感器 | |||
峰值电流范围 | 0.1-200A，步进为0.1A | |||
漏极电压范围 | ±（10-150）V（N或P沟道），步进0.1V | |||
额定电压范围 | 10-2500V，步进为1V | |||
栅极导通电压范围 | ±（2-28）V（N或P沟道），步进为0.1V | |||
栅极关断电压范围 | 0至（28V-栅极导通电压），步进为0.1V | |||
泄漏测试（雪崩前、雪崩后） | 2至（设定漏极电压-2）V | |||
栅极条件 | 栅极驱动电阻：25Ω 栅极电压精度：（-28V±0.5V）至（28V±0.5V） 栅极脉冲时间小于1ms | |||
交流电压输入 | 105至125VAC和210至250VAC 50/60Hz可选 | |||
波形捕捉和分析 | 波形数据可在液晶屏幕上显示 | |||
设备类型 | N、P沟道MOSFET、IGBT、二极管 | |||
