用途场景
规格参数
大规模并行参数测试系统
是德科技 P9001A 大规模并行参数测试系统可进行更快速的参数测试，从而加速产品上市进程，降低测试成本。
-
最大测量引脚数
100
-
最小电压测量分辨率
2 微伏
-
其他特性
电容测量
-
最小电流测量分辨率
0.1 fA
关键性能
| 关键性能 |
|---|
| 欧盟客户通知：此不符合RoHS标准产品的改进型已投放欧盟市场，详细信息请咨询是德科技。是德科技将在P9001A测试系统的支持期限内持续为其提供全球服务与支持。 |
| 高吞吐量并行参数测试解决方案 |
| 具备 100 引脚并行测量能力，能够比 Keysight 4080 更快进行单一参数测量 |
| 与 Keysight 4080 具有良好的数据相关性 |
| 真正的每引脚参数测试单元模块，具备所有基本测量功能（电压、电流、电容、脉冲、频率）。 |
| 轻松开发并行测试计划 |
| 轻松从 4080 环境进行迁移 |
| 经过一级逻辑晶圆厂和存储器公司的实际验证 |
❓ 常见问答 1 查看更多 →
问：UV能量计在半导体光刻机行业的应用
光刻机是半导体原件制造的核心设备之一。应用范围比较广泛，按照用途主要可以分为生产芯片的光刻机，用于封装的光刻机，用于LED制造领域的投影光刻机。本文我们就主要了解一下半导体行业的光刻机，以及UV能量计在半导体光刻行业的应用。
一、什么是光刻机
光刻机又名光刻系统、曝光机、对准曝光等。半导体主要用于集成电路。就是利用模板去除晶圆表面的保护膜，将晶圆浸泡在腐化剂中。然后失去保护的部分就会被腐蚀掉形成电路。在这个过程当中光刻机的主要作用就是利用紫外线通过模板去除晶圆表面的保护设备，一般用UV能量计来监测紫外线的能量。
所以根据模板的不同光刻机主要可以分为两种。
1、模板和晶圆的大小一样，模板不动光刻机动。
2、模板和集成电路的大小一样，模板随光刻机的聚焦而移动。
二、光刻机的应用原理
光刻机有不同的光刻方法，其中紫外光刻最为常见。目前紫外光刻在光刻技术中占领主导地位，按照波长可以分为紫外、深紫外和极光紫外。按照曝光方式可以分为接触接近式光刻和投影式光刻。接触接近式光刻通常是由汞灯产生的，在半导体行业的光刻机上通常用球型高压汞灯，峰值波长通常为365nm。
三、光刻机对半导体行业的影响。
光刻机经常会容易出现曝光过度或者曝光不足的现象，所以我们一定要正确地控制好曝光时间。这样才能得到高质量的晶圆电路图。一般的光刻工艺要经过清洗烘干、涂底、光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等等。越复杂的半导体线路的层数就越多，曝光的过程的控制就严格的控制。
所以当光刻机的曝光不足时可能出现线路出现误差，或者电路图不清晰软胶变软。甚至脱落。脱胶现象。曝光过度会产生图像偏差或者损坏电子元器件。所以光刻机要对半导体的曝光时间和光照强度都要进行严格的监控。
四、用仪器来检测光刻机
林上LS120是一款高压汞灯专用的UV能量计，所以非常适用于半导体光刻机球形汞灯。仪器的光谱响应范围为315-400nm，具有以下的特点：
1、取样速度为2048次/秒，测量精度高。
2、仪器可以连接USB接口，电脑软件可以详细地记录数据，进行曲线分析以及打印输出测试报告。
3、内置隔热片，具有耐高温设计，可长时间运行在100摄氏度的温度环境当中。
4、仪器内置容量大，可以记录3800多条温度数据，6万多条功率数据。
林上LS120UV能量计取样速度快，测量精度高。很适合光刻机对曝光时间和曝光强度的严格检测，详情可咨询林上科技官网！
